FDN359BN
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- 制造商编号：
- FDN359BN
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 渠道：
- digikey
库存 ：750
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.843388 | ￥5.84 |
| 10 | ￥4.960918 | ￥49.61 |
| 100 | ￥3.705186 | ￥370.52 |
| 500 | ￥2.911676 | ￥1455.84 |
| 1000 | ￥2.249942 | ￥2249.94 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
FDN359BN 同类别型号
注
FDN359BN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDN359BN
数据手册PDF。
FDN359BN
型号：FDN359BN
品牌：ON
供货：锐单
库存：750 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.843388 |
| 10+： | ￥4.960918 |
| 100+： | ￥3.705186 |
| 500+： | ￥2.911676 |
| 1000+： | ￥2.249942 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.84