
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥3.887176 | ¥15548.70 |
| 8000 | ¥3.702095 | ¥29616.76 |
| 12000 | ¥3.531224 | ¥42374.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 14.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH5210TRPBF SP001556226
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5210TRPBF
型号:IRFH5210TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥3.887176 |
| 8000+: | ¥3.702095 |
| 12000+: | ¥3.531224 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00