
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥59.905202 | ¥59.91 |
| 30 | ¥47.843561 | ¥1435.31 |
| 120 | ¥42.808222 | ¥5136.99 |
| 510 | ¥37.771999 | ¥19263.72 |
| 1020 | ¥33.994787 | ¥34674.68 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
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0IXTH48N65X2
型号:IXTH48N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥59.905202 |
| 30+: | ¥47.843561 |
| 120+: | ¥42.808222 |
| 510+: | ¥37.771999 |
| 1020+: | ¥33.994787 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥59.91