货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.875745 | ¥44.88 |
10 | ¥40.303765 | ¥403.04 |
100 | ¥33.023765 | ¥3302.38 |
500 | ¥28.112334 | ¥14056.17 |
1000 | ¥23.709235 | ¥23709.24 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH14N60P
型号:IXFH14N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.875745 |
10+: | ¥40.303765 |
100+: | ¥33.023765 |
500+: | ¥28.112334 |
1000+: | ¥23.709235 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.88