
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.716576 | ¥22.72 |
| 10 | ¥18.630449 | ¥186.30 |
| 100 | ¥14.491462 | ¥1449.15 |
| 500 | ¥12.282667 | ¥6141.33 |
| 1000 | ¥10.005581 | ¥10005.58 |
| 2000 | ¥9.419092 | ¥18838.18 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 14.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH5210TRPBF SP001556226
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5210TRPBF
型号:IRFH5210TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.716576 |
| 10+: | ¥18.630449 |
| 100+: | ¥14.491462 |
| 500+: | ¥12.282667 |
| 1000+: | ¥10.005581 |
| 2000+: | ¥9.419092 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.72