货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.812542 | ¥19.81 |
10 | ¥16.248778 | ¥162.49 |
100 | ¥12.638908 | ¥1263.89 |
500 | ¥10.71248 | ¥5356.24 |
1000 | ¥8.726491 | ¥8726.49 |
2000 | ¥8.214979 | ¥16429.96 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 14.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH5210TRPBF SP001556226
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5210TRPBF
型号:IRFH5210TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.812542 |
10+: | ¥16.248778 |
100+: | ¥12.638908 |
500+: | ¥10.71248 |
1000+: | ¥8.726491 |
2000+: | ¥8.214979 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.81