货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.242277 | ¥20.24 |
10 | ¥18.21805 | ¥182.18 |
100 | ¥14.644282 | ¥1464.43 |
500 | ¥12.031726 | ¥6015.86 |
1000 | ¥9.969145 | ¥9969.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS7D3N04CLTWG
型号:NVMYS7D3N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.242277 |
10+: | ¥18.21805 |
100+: | ¥14.644282 |
500+: | ¥12.031726 |
1000+: | ¥9.969145 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.24