
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥4.15985 | ¥12479.55 |
| 6000 | ¥3.940969 | ¥23645.81 |
| 9000 | ¥3.64894 | ¥32840.46 |
| 30000 | ¥3.612936 | ¥108388.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.9 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT3009LFVWQ-13
型号:DMT3009LFVWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥4.15985 |
| 6000+: | ¥3.940969 |
| 9000+: | ¥3.64894 |
| 30000+: | ¥3.612936 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00