BSB104N08NP3GXUSA1
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- 制造商编号：
- BSB104N08NP3GXUSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥5.789343 | ￥28946.72 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 10.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 23 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSB104N08NP3 G SP001164330
单位重量 79.780 mg
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注
BSB104N08NP3GXUSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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BSB104N08NP3GXUSA1
型号：BSB104N08NP3GXUSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥5.789343 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00