
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥50.576595 | ¥50.58 |
| 10 | ¥45.490601 | ¥454.91 |
| 25 | ¥43.000023 | ¥1075.00 |
| 100 | ¥34.400585 | ¥3440.06 |
| 250 | ¥32.489725 | ¥8122.43 |
| 500 | ¥30.578298 | ¥15289.15 |
| 1000 | ¥26.182667 | ¥26182.67 |
| 2500 | ¥25.800439 | ¥64501.10 |
| 5000 | ¥23.507068 | ¥117535.34 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG180N60E-GE3
型号:SIHG180N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥50.576595 |
| 10+: | ¥45.490601 |
| 25+: | ¥43.000023 |
| 100+: | ¥34.400585 |
| 250+: | ¥32.489725 |
| 500+: | ¥30.578298 |
| 1000+: | ¥26.182667 |
| 2500+: | ¥25.800439 |
| 5000+: | ¥23.507068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥50.58