货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.105447 | ¥5263.62 |
5000 | ¥1.994581 | ¥9972.90 |
12500 | ¥1.846856 | ¥23085.70 |
25000 | ¥1.82857 | ¥45714.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.8 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMTH6016LK3Q-13
型号:DMTH6016LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.105447 |
5000+: | ¥1.994581 |
12500+: | ¥1.846856 |
25000+: | ¥1.82857 |
货期:1-2天
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