货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥63.91872 | ¥63.92 |
10 | ¥58.764164 | ¥587.64 |
100 | ¥49.628558 | ¥4962.86 |
500 | ¥44.147972 | ¥22073.99 |
1000 | ¥40.494341 | ¥40494.34 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 650 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH24N80P
型号:IXFH24N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥63.91872 |
10+: | ¥58.764164 |
100+: | ¥49.628558 |
500+: | ¥44.147972 |
1000+: | ¥40.494341 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥63.92