
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥64.527297 | ¥64.53 |
| 10 | ¥59.323664 | ¥593.24 |
| 100 | ¥50.101077 | ¥5010.11 |
| 500 | ¥44.56831 | ¥22284.15 |
| 1000 | ¥40.879892 | ¥40879.89 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 650 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH24N80P
型号:IXFH24N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥64.527297 |
| 10+: | ¥59.323664 |
| 100+: | ¥50.101077 |
| 500+: | ¥44.56831 |
| 1000+: | ¥40.879892 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥64.53