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FQB19N20CTM

ON(安森美)
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制造商编号:
FQB19N20CTM
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.208897 8.21
200 3.183552 636.71
500 3.066877 1533.44
1000 3.016874 3016.87

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 19 A

漏源电阻 170 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 53 nC

耗散功率 3.13 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 115 ns

正向跨导(Min) 10.8 S

上升时间 150 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 135 ns

典型接通延迟时间 15 ns

外形参数

高度 4.83 mm

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 QFET

零件号别名 FQB19N20CTM_NL

单位重量 4 g

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FQB19N20CTM

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型号:FQB19N20CTM

品牌:ON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.208897
200+: ¥3.183552
500+: ¥3.066877
1000+: ¥3.016874

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