货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.208897 | ¥8.21 |
200 | ¥3.183552 | ¥636.71 |
500 | ¥3.066877 | ¥1533.44 |
1000 | ¥3.016874 | ¥3016.87 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 10.8 S
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 135 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 QFET
零件号别名 FQB19N20CTM_NL
单位重量 4 g
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0FQB19N20CTM
型号:FQB19N20CTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.208897 |
200+: | ¥3.183552 |
500+: | ¥3.066877 |
1000+: | ¥3.016874 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.21