搜索

DMN1019UVT-7

DIODES(美台)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
DMN1019UVT-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.05445 6.05
10 4.90534 49.05
100 3.336125 333.61
500 2.501848 1250.92
1000 1.876508 1876.51

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 10.7 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 350 mV

栅极电荷 50.4 nC

耗散功率 1.73 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11.6 ns

上升时间 3.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32.2 ns

典型接通延迟时间 4.7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

DMN1019UVT-7 相关产品

DMN1019UVT-7品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMN1019UVT-7、查询DMN1019UVT-7代理商; DMN1019UVT-7价格批发咨询客服;这里拥有 DMN1019UVT-7中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到DMN1019UVT-7 替代型号 、DMN1019UVT-7 数据手册PDF

购物车

DMN1019UVT-7

锐单logo

型号:DMN1019UVT-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.05445
10+: ¥4.90534
100+: ¥3.336125
500+: ¥2.501848
1000+: ¥1.876508

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥6.05