货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.05445 | ¥6.05 |
10 | ¥4.90534 | ¥49.05 |
100 | ¥3.336125 | ¥333.61 |
500 | ¥2.501848 | ¥1250.92 |
1000 | ¥1.876508 | ¥1876.51 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 10.7 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 50.4 nC
耗散功率 1.73 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.6 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32.2 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMN1019UVT-7
型号:DMN1019UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.05445 |
10+: | ¥4.90534 |
100+: | ¥3.336125 |
500+: | ¥2.501848 |
1000+: | ¥1.876508 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.05