货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.493668 | ¥1.49 |
10 | ¥1.144877 | ¥11.45 |
30 | ¥1.080792 | ¥32.42 |
100 | ¥1.016707 | ¥101.67 |
500 | ¥0.988338 | ¥494.17 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 10.7 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 50.4 nC
耗散功率 1.73 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.6 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32.2 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN1019UVT-7
型号:DMN1019UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.493668 |
10+: | ¥1.144877 |
30+: | ¥1.080792 |
100+: | ¥1.016707 |
500+: | ¥0.988338 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1.49