货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.191167 | ¥10477.92 |
5000 | ¥3.991618 | ¥19958.09 |
12500 | ¥3.80738 | ¥47592.25 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2-15 SP001061724
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N06S215ATMA2
型号:IPD30N06S215ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.191167 |
5000+: | ¥3.991618 |
12500+: | ¥3.80738 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00