
货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ¥2.55065 | ¥12753.25 |
| 10000 | ¥2.454788 | ¥24547.88 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC024NE2LS SP000756342
单位重量 118 mg
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0BSC024NE2LSATMA1
型号:BSC024NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 5000+: | ¥2.55065 |
| 10000+: | ¥2.454788 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00