
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥45.898555 | ¥45.90 |
| 30 | ¥26.484792 | ¥794.54 |
| 120 | ¥22.210607 | ¥2665.27 |
| 510 | ¥19.665542 | ¥10029.43 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 181 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCH125N65S3R0-F155
型号:FCH125N65S3R0-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥45.898555 |
| 30+: | ¥26.484792 |
| 120+: | ¥22.210607 |
| 510+: | ¥19.665542 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.90