
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.76274 | ¥24.76 |
| 10 | ¥20.274495 | ¥202.74 |
| 100 | ¥15.772319 | ¥1577.23 |
| 500 | ¥13.369405 | ¥6684.70 |
| 1000 | ¥10.890808 | ¥10890.81 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2-15 SP001061724
单位重量 330 mg
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0IPD30N06S215ATMA2
型号:IPD30N06S215ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.76274 |
| 10+: | ¥20.274495 |
| 100+: | ¥15.772319 |
| 500+: | ¥13.369405 |
| 1000+: | ¥10.890808 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.76