货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥31.668839 | ¥31.67 |
10 | ¥28.415283 | ¥284.15 |
100 | ¥23.27993 | ¥2327.99 |
500 | ¥19.817826 | ¥9908.91 |
1000 | ¥16.713822 | ¥16713.82 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 164 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 210 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 244 ns
上升时间 386 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 344 ns
典型接通延迟时间 174 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP047N10
型号:FDP047N10
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.668839 |
10+: | ¥28.415283 |
100+: | ¥23.27993 |
500+: | ¥19.817826 |
1000+: | ¥16.713822 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥31.67