
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.370823 | ¥15.37 |
| 10 | ¥13.714484 | ¥137.14 |
| 100 | ¥10.688022 | ¥1068.80 |
| 500 | ¥8.829213 | ¥4414.61 |
| 1000 | ¥6.970536 | ¥6970.54 |
| 2000 | ¥6.505834 | ¥13011.67 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC024NE2LS SP000756342
单位重量 118 mg
购物车
0BSC024NE2LSATMA1
型号:BSC024NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.370823 |
| 10+: | ¥13.714484 |
| 100+: | ¥10.688022 |
| 500+: | ¥8.829213 |
| 1000+: | ¥6.970536 |
| 2000+: | ¥6.505834 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.37