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TK39N60W,S1VF

Toshiba(东芝)
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制造商编号:
TK39N60W,S1VF
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 70.789856 70.79
10 63.953987 639.54
25 60.979383 1524.48
100 50.568269 5056.83
250 47.593664 11898.42

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 DTMOSIV

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 38.8 A

漏源电阻 55 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3.7 V

栅极电荷 110 nC

耗散功率 270 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

正向跨导(Min) -

上升时间 50 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 200 ns

典型接通延迟时间 80 ns

外形参数

高度 20.95 mm

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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TK39N60W,S1VF

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型号:TK39N60W,S1VF

品牌:Toshiba

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥70.789856
10+: ¥63.953987
25+: ¥60.979383
100+: ¥50.568269
250+: ¥47.593664

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥70.79