货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥70.789856 | ¥70.79 |
10 | ¥63.953987 | ¥639.54 |
25 | ¥60.979383 | ¥1524.48 |
100 | ¥50.568269 | ¥5056.83 |
250 | ¥47.593664 | ¥11898.42 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38.8 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 80 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK39N60W,S1VF
型号:TK39N60W,S1VF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥70.789856 |
10+: | ¥63.953987 |
25+: | ¥60.979383 |
100+: | ¥50.568269 |
250+: | ¥47.593664 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥70.79