2SK4066-DL-E
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- 制造商编号：
- 2SK4066-DL-E
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL SILICON MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.527146 | ￥41.53 |
| 25 | ￥37.59734 | ￥939.93 |
| 50 | ￥36.144303 | ￥1807.22 |
| 100 | ￥34.790335 | ￥3479.03 |
| 250 | ￥33.518928 | ￥8379.73 |
| 500 | ￥31.983333 | ￥15991.67 |
| 1000 | ￥30.249594 | ￥30249.59 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
2SK4066-DL-E
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL SILICON MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.7mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
220nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12500pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.65W (Ta), 90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SMP-FD
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
2SK4066-DL-E品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
2SK4066-DL-E
型号：2SK4066-DL-E
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.527146 |
| 25+： | ￥37.59734 |
| 50+： | ￥36.144303 |
| 100+： | ￥34.790335 |
| 250+： | ￥33.518928 |
| 500+： | ￥31.983333 |
| 1000+： | ￥30.249594 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥41.53