货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥21.557044 | ¥21.56 |
10 | ¥17.906053 | ¥179.06 |
100 | ¥14.253817 | ¥1425.38 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 97.3 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3205STRLPBF SP001576758
单位重量 2.387 g
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0IRF3205STRLPBF
型号:IRF3205STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.557044 |
10+: | ¥17.906053 |
100+: | ¥14.253817 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.56