货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥105.437423 | ¥105.44 |
25 | ¥85.371926 | ¥2134.30 |
100 | ¥80.350514 | ¥8035.05 |
500 | ¥72.817603 | ¥36408.80 |
1000 | ¥66.791333 | ¥66791.33 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 255 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 92 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK140N25T
型号:IXFK140N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥105.437423 |
25+: | ¥85.371926 |
100+: | ¥80.350514 |
500+: | ¥72.817603 |
1000+: | ¥66.791333 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥105.44