货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥205.145419 | ¥205.15 |
10 | ¥188.584632 | ¥1885.85 |
100 | ¥159.272394 | ¥15927.24 |
500 | ¥141.683868 | ¥70841.93 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 735 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH120N30X3
型号:IXFH120N30X3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥205.145419 |
10+: | ¥188.584632 |
100+: | ¥159.272394 |
500+: | ¥141.683868 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥205.15