
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥235.214705 | ¥235.21 |
| 10 | ¥216.226512 | ¥2162.27 |
| 100 | ¥182.617819 | ¥18261.78 |
| 500 | ¥162.451247 | ¥81225.62 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 735 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH120N30X3
型号:IXFH120N30X3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥235.214705 |
| 10+: | ¥216.226512 |
| 100+: | ¥182.617819 |
| 500+: | ¥162.451247 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥235.21