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IPD082N10N3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD082N10N3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
渠道:
digikey

库存 :39689

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 27.216448 27.22
10 24.457176 244.57
100 19.658554 1965.86
500 16.151771 8075.89
1000 13.382843 13382.84

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 80 A

漏源电阻 8.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 42 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 45 S

上升时间 42 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 18 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD082N10N3 G SP001127824

单位重量 4 g

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IPD082N10N3GATMA1

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型号:IPD082N10N3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:39689 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥27.216448
10+: ¥24.457176
100+: ¥19.658554
500+: ¥16.151771
1000+: ¥13.382843

货期:7-10天

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