IPD082N10N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPD082N10N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：13792
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.883578 | ￥37.88 |
| 10 | ￥24.427332 | ￥244.27 |
| 100 | ￥16.703628 | ￥1670.36 |
| 500 | ￥13.40018 | ￥6700.09 |
| 1000 | ￥13.266376 | ￥13266.38 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 8.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 45 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD082N10N3 G SP001127824
单位重量 4 g
IPD082N10N3GATMA1 同类别型号
注
IPD082N10N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD082N10N3GATMA1
数据手册PDF
。
IPD082N10N3GATMA1
型号：IPD082N10N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：13792 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.883578 |
| 10+： | ￥24.427332 |
| 100+： | ￥16.703628 |
| 500+： | ￥13.40018 |
| 1000+： | ￥13.266376 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.88