
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥5.567172 | ¥22268.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 1.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 392 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH4210DTRPBF SP001575718
单位重量 122.136 mg
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0IRFH4210DTRPBF
型号:IRFH4210DTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥5.567172 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00