
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.853794 | ¥40.85 |
| 10 | ¥36.727697 | ¥367.28 |
| 100 | ¥30.092009 | ¥3009.20 |
| 500 | ¥25.616552 | ¥12808.28 |
| 1000 | ¥21.604192 | ¥21604.19 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 49 A
漏源电阻 8.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NTMYS8D0N04CTWG
型号:NTMYS8D0N04CTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.853794 |
| 10+: | ¥36.727697 |
| 100+: | ¥30.092009 |
| 500+: | ¥25.616552 |
| 1000+: | ¥21.604192 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.85