
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥6.246209 | ¥4996.97 |
| 1600 | ¥5.175404 | ¥8280.65 |
| 2400 | ¥4.818487 | ¥11564.37 |
| 5600 | ¥4.655544 | ¥26071.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 54 ns
上升时间 90 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010EZSTRLP SP001561470
单位重量 4 g
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0IRF1010EZSTRLP
型号:IRF1010EZSTRLP
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥6.246209 |
| 1600+: | ¥5.175404 |
| 2400+: | ¥4.818487 |
| 5600+: | ¥4.655544 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00