货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥20.012144 | ¥16009.72 |
1600 | ¥18.083299 | ¥28933.28 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 800 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 413 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 126 ns
正向跨导(Min) 219 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 443 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 4.82 mm
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0SQM200N04-1M1L_GE3
型号:SQM200N04-1M1L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥20.012144 |
1600+: | ¥18.083299 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00