货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥175.826171 | ¥175.83 |
10 | ¥161.592036 | ¥1615.92 |
100 | ¥136.47101 | ¥13647.10 |
500 | ¥121.400372 | ¥60700.19 |
1000 | ¥114.16963 | ¥114169.63 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 102 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 1.04 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTX102N65X2
型号:IXTX102N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥175.826171 |
10+: | ¥161.592036 |
100+: | ¥136.47101 |
500+: | ¥121.400372 |
1000+: | ¥114.16963 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥175.83