货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥7.035248 | ¥17588.12 |
5000 | ¥6.770794 | ¥33853.97 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 15 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 2 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11.25 nC
耗散功率 791 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 4.3 S
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 PMOS Switches
单位重量 74 mg
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0TPS1101DR
型号:TPS1101DR
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥7.035248 |
5000+: | ¥6.770794 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00