货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.731931 | ¥5.73 |
10 | ¥4.460938 | ¥44.61 |
100 | ¥2.67781 | ¥267.78 |
500 | ¥2.479186 | ¥1239.59 |
1000 | ¥1.685936 | ¥1685.94 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 940 mA
漏源电阻 460 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 710 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3730U-7
型号:DMN3730U-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.731931 |
10+: | ¥4.460938 |
100+: | ¥2.67781 |
500+: | ¥2.479186 |
1000+: | ¥1.685936 |
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