货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥6.194113 | ¥4955.29 |
1600 | ¥5.25561 | ¥8408.98 |
2400 | ¥5.18053 | ¥12433.27 |
5600 | ¥4.80513 | ¥26908.73 |
20000 | ¥4.617429 | ¥92348.58 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 76 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010NSTRLPBF SP001571236
单位重量 330 mg
购物车
0IRF1010NSTRLPBF
型号:IRF1010NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥6.194113 |
1600+: | ¥5.25561 |
2400+: | ¥5.18053 |
5600+: | ¥4.80513 |
20000+: | ¥4.617429 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00