货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥113.789933 | ¥113.79 |
30 | ¥92.126336 | ¥2763.79 |
120 | ¥86.706774 | ¥10404.81 |
510 | ¥78.577974 | ¥40074.77 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 310 ns
典型接通延迟时间 115 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK62N60W,S1VF
型号:TK62N60W,S1VF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥113.789933 |
30+: | ¥92.126336 |
120+: | ¥86.706774 |
510+: | ¥78.577974 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥113.79