SIHB24N65ET1-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB24N65ET1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 24A TO263
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥24.368872 | ￥19495.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 69 ns
上升时间 84 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 24 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB24N65ET1-GE3 同类别型号
注
SIHB24N65ET1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB24N65ET1-GE3、查询SIHB24N65ET1-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB24N65ET1-GE3
数据手册PDF。
SIHB24N65ET1-GE3
型号：SIHB24N65ET1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥24.368872 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00