
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥38.338181 | ¥38.34 |
| 10 | ¥24.669786 | ¥246.70 |
| 100 | ¥16.883953 | ¥1688.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 76 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010NSTRLPBF SP001571236
单位重量 330 mg
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0IRF1010NSTRLPBF
型号:IRF1010NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥38.338181 |
| 10+: | ¥24.669786 |
| 100+: | ¥16.883953 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥38.34