
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥107.066288 | ¥107.07 |
| 10 | ¥98.380315 | ¥983.80 |
| 100 | ¥83.088221 | ¥8308.82 |
| 500 | ¥73.912736 | ¥36956.37 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 63.3 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R048CFDA SP000895318
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R048CFDAFKSA1
型号:IPW65R048CFDAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥107.066288 |
| 10+: | ¥98.380315 |
| 100+: | ¥83.088221 |
| 500+: | ¥73.912736 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥107.07