
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.092059 | ¥9.09 |
| 10 | ¥5.621924 | ¥56.22 |
| 100 | ¥3.594394 | ¥359.44 |
| 500 | ¥2.715193 | ¥1357.60 |
| 1000 | ¥2.431369 | ¥2431.37 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 610 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.33 ns
上升时间 12.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2020LSN-7
型号:DMN2020LSN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.092059 |
| 10+: | ¥5.621924 |
| 100+: | ¥3.594394 |
| 500+: | ¥2.715193 |
| 1000+: | ¥2.431369 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.09