货期:(7~10天)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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800 | ¥13.861212 | ¥11088.97 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB22N60ET1-GE3
型号:SIHB22N60ET1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥13.861212 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00