货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥6.059893 | ¥30299.47 |
10000 | ¥5.904465 | ¥59044.65 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 15.2 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 8 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ900N20NS3 G SP000781806
单位重量 38.760 mg
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0BSZ900N20NS3GATMA1
型号:BSZ900N20NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥6.059893 |
10000+: | ¥5.904465 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00