
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥62.705824 | ¥62.71 |
| 10 | ¥56.353806 | ¥563.54 |
| 100 | ¥46.174289 | ¥4617.43 |
| 500 | ¥39.307051 | ¥19653.53 |
| 1000 | ¥33.150479 | ¥33150.48 |
| 2000 | ¥31.492983 | ¥62985.97 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 263 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 132 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDI045N10A_F102
单位重量 2.387 g
购物车
0FDI045N10A-F102
型号:FDI045N10A-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥62.705824 |
| 10+: | ¥56.353806 |
| 100+: | ¥46.174289 |
| 500+: | ¥39.307051 |
| 1000+: | ¥33.150479 |
| 2000+: | ¥31.492983 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥62.71