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BSZ900N20NS3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
BSZ900N20NS3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
渠道:
digikey

库存 :38717

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 30.306862 30.31
10 19.335779 193.36
100 13.060743 1306.07
500 10.372827 5186.41
1000 9.737595 9737.60

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 15.2 A

漏源电阻 77 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 11.6 nC

耗散功率 62.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

正向跨导(Min) 8 S

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 10 ns

典型接通延迟时间 5 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ900N20NS3 G SP000781806

单位重量 38.760 mg

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BSZ900N20NS3GATMA1

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型号:BSZ900N20NS3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:38717 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥30.306862
10+: ¥19.335779
100+: ¥13.060743
500+: ¥10.372827
1000+: ¥9.737595

货期:7-10天

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