
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.663769 | ¥18.66 |
| 10 | ¥12.513904 | ¥125.14 |
| 100 | ¥8.730667 | ¥873.07 |
| 500 | ¥7.02951 | ¥3514.76 |
| 1000 | ¥6.472044 | ¥6472.04 |
| 2000 | ¥5.999178 | ¥11998.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导(Min) 58 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
高度 1.05 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLHM620TRPBF SP001550432
单位重量 122.136 mg
购物车
0IRLHM620TRPBF
型号:IRLHM620TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.663769 |
| 10+: | ¥12.513904 |
| 100+: | ¥8.730667 |
| 500+: | ¥7.02951 |
| 1000+: | ¥6.472044 |
| 2000+: | ¥5.999178 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.66