货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥24.672223 | ¥24.67 |
10 | ¥20.472962 | ¥204.73 |
100 | ¥16.291144 | ¥1629.11 |
500 | ¥13.784297 | ¥6892.15 |
1000 | ¥11.695756 | ¥11695.76 |
2000 | ¥11.1111 | ¥22222.20 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 15.2 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 8 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ900N20NS3 G SP000781806
单位重量 38.760 mg
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0BSZ900N20NS3GATMA1
型号:BSZ900N20NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.672223 |
10+: | ¥20.472962 |
100+: | ¥16.291144 |
500+: | ¥13.784297 |
1000+: | ¥11.695756 |
2000+: | ¥11.1111 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.67