货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥24.325069 | ¥24.33 |
10 | ¥21.879959 | ¥218.80 |
100 | ¥17.588412 | ¥1758.84 |
500 | ¥14.451108 | ¥7225.55 |
1000 | ¥11.973733 | ¥11973.73 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 6.7 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FCD600N60Z
型号:FCD600N60Z
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.325069 |
10+: | ¥21.879959 |
100+: | ¥17.588412 |
500+: | ¥14.451108 |
1000+: | ¥11.973733 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.33