DMT12H090LFDF4-13
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- 制造商编号：
- DMT12H090LFDF4-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET 101V~250V X2-DFN2020-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥4.010458 | ￥40104.58 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 115 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.3 ns
典型接通延迟时间 2.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
DMT12H090LFDF4-13 同类别型号
注
DMT12H090LFDF4-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT12H090LFDF4-13
数据手册PDF。
DMT12H090LFDF4-13
型号：DMT12H090LFDF4-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥4.010458 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00