IRFBE30STRLPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFBE30STRLPBF
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥13.110163 | ￥10488.13 |
| 1600 | ￥11.225612 | ￥17960.98 |
| 2400 | ￥10.570091 | ￥25368.22 |
| 5600 | ￥10.140906 | ￥56789.07 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
IRFBE30STRLPBF 同类别型号
注
IRFBE30STRLPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFBE30STRLPBF
数据手册PDF。
IRFBE30STRLPBF
型号：IRFBE30STRLPBF
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥13.110163 |
| 1600+： | ￥11.225612 |
| 2400+： | ￥10.570091 |
| 5600+： | ￥10.140906 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00