货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥169.989027 | ¥169.99 |
10 | ¥156.767658 | ¥1567.68 |
100 | ¥133.868921 | ¥13386.89 |
500 | ¥121.538787 | ¥60769.39 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 230 nC
耗散功率 1.25 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
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0IXTX120N65X2
型号:IXTX120N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥169.989027 |
10+: | ¥156.767658 |
100+: | ¥133.868921 |
500+: | ¥121.538787 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥169.99